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dopant

美 ['doʊpənt]英 ['dəʊpənt]

n.【物】掺杂剂
网络掺杂物；掺质；掺杂体

复数：dopants

dopant

英-汉英-英网络释义

dopant

掺杂剂

进出口行业词汇英语翻译(D) ... dopan 多潘 dopant 掺杂剂 dopata 印度优质细布 ...

掺杂物

　　哪种材料适合作为某种半导体材料的掺杂物（dopant）需视两者的原子特性而定。一般而言，掺杂物依照其带给被掺杂材料的 …

掺质

他们将掺质(dopant)局限在粒径小于5 nm的ZnO纳米微晶中，经老化之后，再添加溶剂使量子点沉淀出来，并将少量的纳米团块 …

掺杂体

编辑本段掺杂体（Dopant）及地球图书馆　　人类使用地球内存中的记忆注入自身而变身（Dopant）的样子。

搀杂剂

太阳能专业英语_百度知道 ... 电极 electrode 搀杂剂 dopant 泵 pump ...

多班特

从最近开始，风都的街上不断传出名为「多班特（Dopant）」的怪人作乱的怪异事件。所谓的「Dopant」实际上是人类使用「 …

掺入杂质气体

...200ohm-cm以上，通常在外延生长的同时还需要掺入杂质气体(dopant)来满足一定的器件电学性能。杂质气体可以分为N型和…

例句：

Dopant interaction through the electric field , pairing , and emitting non-equilibrium point defects.

效应，掺杂剂通过电场、配对、和发射非平衡电缺陷交互作用

Doping - The process of the donation of an electron or hole to the conduction process by a dopant .

掺杂 -把搀杂剂掺入半导体，通常通过扩散或离子注入工艺实现。

Large size dopant could prolong the protection time of the coating.

采用大体积的掺杂离子能增加保护时间。

The effects of borosilicate glass dopant on the electronic properties of ZnO varistors are investigated.

研究结果表明，硼硅玻璃料的掺入超过一定量时会使压敏电场上升。

Our work demonstrates that carbon is a novel dopant in the class of doped ZnO dilute magnetic semiconductor materials .

我们的工作证明了碳是一种新的属于氧化锌掺杂务半导体材料。

Effect of borosilicate glass dopant on electrical characteristics of ZnO varistors .

硼硅玻璃掺杂对 ZnO 压敏电阻器电性能的影响。

The spread uniformity of the dopant in the film surface will vary with the doping time .

又掺杂剂在膜表面分布均匀程度与掺杂时间有关。

Dopant- An element that contributes an electron or a hole to the conduction process, thus altering the conductivity .

搀杂剂 -可以为传导过程提供电子或空穴的元素，此元素可以改变传导特性。

The dopant blocking superlattice may include a plurality of stacked groups of layers .

该掺杂剂阻挡超晶格可以包括多个层叠的层组。

In this thesis, ultrafast optical properties for thin film materials and telluride glasses with Er2O3 dopant are main topics.

本论文的主要工作是利用飞秒激光对薄膜材料和掺铒碲酸盐玻璃材料的光学特性进行研究。

The silicon carbon layer is exposed to a dopant .

将硅碳层暴露给掺杂物。

Typical of the dopant chemistry is the reaction for arsine, which is depicted with the deposition process in Fig. 9.

砷化三氢的反应是典型的掺杂化学反应，图 9 显示了该反应的淀积过程。

The implanted dopant has a first dopant profile in the silicon layer .

所注入的掺杂剂在硅层中具有第一掺杂剂分布。

The PAW and GGA method are used to study the electronic structure of KSrPO4 with the Eu dopant .

这里利用 PAW 与 GGA 方法，来研究钾锶磷酸盐在铕掺杂之下的电子结构。

providing a first doped region adjacent to one end of the gate structure , the first doped region having a first dopant concentration level ;

邻近所说栅结构一端提供第一掺杂区，第一掺杂区具有第一掺杂剂浓度水平；

Influence of the Dopant Concentration on Its Microstructure and Properties of AZO Film

掺杂浓度对 AZO 薄膜结构和性能的影响

introducing dopant gas to the holes at high temperature to carrying out doping and diffusion on the walls of the holes;

在高温下向孔中通入掺杂气体对孔壁进行掺杂及扩散；

Researches on Dopant Concentration of a Thulium-Doped Silica Fiber

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