PHEMT
- 网络高电子迁移率晶体管(Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor)；赝配高电子迁移率晶体管；假晶高电子迁移率晶体管
PHEMTPHEMT
高电子迁移率晶体管(Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor)
Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor (PHEMT), utilizing an Electron-Beam direct- write 0.25 µm by 3000 µm Schott...
赝配高电子迁移率晶体管
1 前言赝配高电子迁移率晶体管(phemt)被公认为是微波／毫米波器件和电路领域中最有竞争力的三端器件，不仅具有比mesfet …
假晶高电子迁移率晶体管
单电压源假晶高电子迁移率晶体管(PHEMT)功率器件及制造方法单电压源假晶高电子迁移率晶体管(PHEMT)功率器件及制造方 …
电子迁移率电晶体
...异质介面双极电晶体 (GaAs HBT)，假型高速电子迁移率电晶体 (pHEMT)，整合性被动元件 (IPD) 以及砷化镓高效率聚光型太 …
高电子迁移率电晶体
...LD）、砷化镓异质介面双极电晶体（HBT）与应变式高电子迁移率电晶体（PHEMT）磊晶片等生产为主，目前LD比重占40﹪…
高迁移率电晶体
...异质接面双极性电晶体(HBT)，二、应变式异质接面高迁移率电晶体(pHEMT)，三、金属半导体场效电晶体(MESFET)。
假型高速电子移动电晶体
...(HBT)、金属半导体场效电晶体(MESFET)和假型高速电子移动电晶体(pHEMT)制程技术中，因为HBT具有可单电源电路设计 …
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