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NMOS

美英

n.沟道金氧半导体器件
网络N—Channel Metal-Oxide-Semiconductor; 电晶体; 沟道金属氧化物半导体

NMOS

NMOS

英-汉网络释义

NMOS

N—Channel Metal-Oxide-Semiconductor

...为MOS型（或单极型）数字集成电路，属于这一类的有NMOS（N—Channel Metal-Oxide-Semiconductor）和CMOS（Compl…

电晶体

电晶体(NMOS)会快速导通而成为低输入阻抗，同样可

沟道金属氧化物半导体

电器电子词汇英语翻译(H-N) ... nitrox reactor 氮化物氧化物反应器 nmos n 沟道金属氧化物半导体 nmos technology nmos 工艺 ...

N型金氧半导体

计算机与网络英语词汇(N2)|无忧教育 ... NMC Network Management Center 网络管理中心 NMOS N 型金氧半导体 NNTP NNT…

n-通道金氧半导体

电脑英文网络翻译n-网络-名称字符-名称... ... nybble 尼；半拜；四数元组 (NMOS) n-通道金氧半导体 (nm) 末米 ...

通道长度调变效应

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负极通道金属氧化物半导体

... Nm 牛顿米 NMOS 负极通道金属氧化物半导体 NOS 牛顿操作系统 ...

增强型N沟道场效应管

《普通高等教育“十一五”... ... 24.2.2 随机存储器（ RAM） 14.3.1 增强型N沟道场效应管（ NMOS） 14.3.2 增强型P沟道场效应 …

2

and a PMOS transistor and a NMOS transistor that may be formed on the first and second semiconductor layers , respectively .

PMOS 晶体管和 NMOS 晶体管，可分别形成在第一半导体层上和第二半导体层上。

3

The gate electrodes (16 ) of the NMOS transistors (A ) are formed in a layer of n-type doped polycrystalline silicon (14 ) without germanium .

NMOS 晶体管（A ）的门电极（16 ）在 n-型掺杂的不含锗的多晶硅层（14 ）上形成。

4

Based on the SWB environment, the design for manufacturing and optimization of the nano-level NMOS integrated chips were implemented .

基于 SWB 环境实现了 nm 级 NMOS 集成化管芯的可制造性设计及优化。

5

Devices model including: NMOS FET, Resister , Capacitance, Inductor . Device model is analyzed deeply according to the RF Spice file of SMIC.

器件等效模型分析是根据 SMIC 的射频工艺库，对 NMOS 管、金属螺旋电感、电容、电阻进行了研究。

6

A depleted NMOS transistor , which was used as current source , and a negative feedback loop constitute a stable voltage reference .

该电路采用耗尽型 NMOS 管作电流源器件，结合负反馈，实现了稳定的电压基准。

7

A spectral data acquisition system is designed based on NMOS linear image sensor and micro controller unit (MCU ) technology .

基于 NMOS 线性图像传感器和单片机（MCU ）技术设计了一个光谱信号采集系统。

8

Design and Fabrication of a High-Voltage nMOS Device

高压 nMOS 器件的设计与研制

9

Performance Degradation of NMOS Device in Oxide Plasma Ambience

氧等离子气氛中 NMOS 器件的性能退化

10

Effects of Temperature and Dose Rates on Mobility of NMOS Devices

温度和剂量率对 NMOS 器件迁移率的影响

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