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MOSFET

网络场效应管；功率场效应管；功率场效应晶体管

MOSFET

网络释义

MOSFET

场效应管

场效应管原理及放大电路场效应管(MOSFET)是一种外形与普通晶体管相似，但控制特性不同的半导体器件。它的输入电阻可高 …

功率场效应管

功率场效应管(MOSFET)和射频管(RF)以及驱动电源模块(IC) 价格：面议 PHILIPS、TI、ST、MOTOROLA、FAIRCHILD、ON …

功率场效应晶体管

功率场效应晶体管(MOSFET)原理原理功率场效应晶体管功率场效应管(Power MOSFET)也叫电力场效应晶体管,是一种单极型 …

金属氧化物半导体场效应管(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)

为了改善金属氧化物半导体场效应管(MOSFET) 的短沟道效应(SCE)、漏致势垒降低(DIBL) 效应, 提高电流的驱动能力, 提出了 …

金属氧化物场效应管

而金属氧化物场效应管(MOSFET)，甚至在几千兆赫兹的频率上还能输出几瓦功率。有关晶体管和场效应管的高频等效电路、 …

场效电晶体

而输出装置若为场效电晶体（MOSFET），则称之为漏极开路（英语：Open Drain，俗称「OD门」），工作原理相仿。透过O…

例句：

as such, a circuit designed with L-mosfet usually can work fine without a Vbe (or Vgs) multiplier for thermal compensation .

同样地，用 L-mosfets 设计的线路不用 Vbe （或 Vgs ）倍增器作温度补偿可以工作得非常好。

From the late eighties to the early nineties, IGBT become a new composite device , which brings together the advantages of MOSFET and GTR.

IGBT 作为八十年代末，九十年代初迅速发展起来的新型复合器件，它将 MOSFET 和 GTR 的优点集于一身。

If the silicon bar is doped N , then the MOSFET is called an N-channel device .

如果掺硅栏 N ，则 MOSFET 被称为 N 沟道器件。

LED current sense pin . Connect a resistor from main switching MOSFET source, ISNS to GND to set the maximum LED current .

LED 电流检测脚。在主开关电路 MOSFET 的 ISNS 及 GND 脚间接入一个电阻可以对 LED 的最大电流进行设定。

The system also includes a switch control circuit to switch the MOSFET switches in synchronization with the three-phase current flow.

本系统还包括开关控制电路，用于与三相电流同步切换 MOSFET 开关。

The high frequency parasitic effect of MOSFET is emphasis on , included gate resistance , substrate resistance, and parasitic capacitance .

重点讨论 MOSFET 的高频寄生参数，包括栅电阻、衬底电阻、寄生电容等。

All semiconductor devices should be protected from static discharge , but MOSFETs are themost liable to build up a killing charge .

所有的半导体设备应该得到保护，免受静电放电，但 MOSFET 的 themost 负责建立一个杀费。

If reverse protection is not needed , only a single external MOSFET is required .

如果反向保护不需要，那么仅需要单个外部 MOSFET 。

Single flyback converter circuit , as well as the PWM signal , is used to control the MOSFET .

使用单端反激变换器电路，用 PWM 信号控制开关管 MOSFET 。

We test the shot noise by this testing system for short-channel MOSFETs and the diodes testing , and the results are satisfying.

应用本测试系统测试短沟道 MOSFET 和二极管散粒噪声，得到了较好的测试结果。

Secondly , we analyzed the physical characteristic and noise characteristic of MOSFET, which is an important element of CMOS RFIC.

其次，对 CMOS 射频集成电路中的重要元素 —MOSFET 的物理特性、噪声特性进行分析；

The assembly of MOSFET is consisted of five main processes , which are wafer sawing, die attach, wire bond, molding, trim and form .

MOSFET 的封装主要由晶圆切割，晶粒黏贴，焊线，封塑，切割成型这五大流程组成。

The multi-threshold field MOSFET is characterized by easily changing the threshold voltage .

该多阈值场 MOSFET 具有阈值电压易于实现变化的特点。

Using logic-level MOSFETs also allows the control to run on as few as four cells .

使用逻辑级别的 MOSFET 还允许控制上运行，只有 4 细胞。

The effect of neutral trap on tunneling current in ultrathin MOSFETs is investigated by numerical analysis .

用数值分析的方法讨论了中性陷阱对超薄场效应晶体管（MOSFET ）隧穿电流的影响。

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