InSb

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InSb

锑化铟

储备锑化铟InSb)、硅二极管、铟砷化镓(InGaAs)等探测器,以备损耗。每半年对检测系统进行一次精细检查,包括步进 …

研究锑化铟

为了研究锑化铟(InSb)半导体材料的光电导太赫兹辐射过程,推导了太赫兹近场辐射公式。在考虑俄歇弛豫机制对光电导过程影 …

锑化钢

磁敏电阻器多采用锑化钢(InSb)半导体材料制造。它主要用于测定磁场强度、测量频率和功率等的测量技术,运算技术,自动控 …

铟锑

红外探测器通常使用铟锑(InSb)和碲镉汞(CMT)器件,当前发展的是高性能多元 CMT 探测器。多元CMT 器件不但能提高了探测 …

锑化锢

新型的锑化锢(InSb)红外探测器除了具有很宽的光谱范围(2μm~7μm),还具有很快的响应速度(时间常数<1μs),其很高的探测 …

锑化铟靶材

  掺铬一氧化硅陶瓷靶材(Cr-SiO),磷化铟靶材(InP),磷化镓靶材(GaP),锑化镓靶材(GaSb),锑化铟靶材InSb) …

锑化铟探测器

仪器简介: ■ 锑化铟探测器InSb) ———液氮制冷型红外探测器,波长范围:1~5.5μm 技术参数: 型号列表及主要技术指 …

碲化铟

硒化铅(PnSe)、碲化铟(InSb)、碲镉汞(HgCdTe)、碲锡铅(PbSnTe)、锗掺杂(Ge:X)和硅掺杂(Si:X)等。

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